超前信息
L9D320G32BG6
2.0 GB， DDR3 ， 64男×32集成模块（ IMOD ）
功能说明
在DDR3 SDRAM采用双数据速率的架构，以实现高
高速操作。在双倍数据速率（DDR）架构是一个8n个预取
与用于传输每时钟周期两个数据字的一个界面
I / O引脚。一个单一的读或写访问的DDR3 SDRAM组成
单个8n个位宽，一个时钟周期的数据在内部存储器传送
芯和8对应的n比特宽，一个半时钟周期的数据传输
在I / O引脚。
差分选通信号（ LDQSx ， LDQSx \\ ， UDQSx ， UDQSx \\ ）被发送
外，还有数据，在DDR3 SDRAM中的数据采集应用
输入接收器。 DQS居中对齐进行写入数据。在读
数据由DDR3 SDRAM发送和边沿对齐到数据
选通信号。
在DDR3 SDRAM工作在差分时钟（ CKX ， CKX \\ ） 。该
CK变为高电平和CK \\变低的交叉被称为位置
的时钟（ CK ），略去边缘。控制命令和地址信号稳压
istered在CK的每个上升沿。输入数据被寄存在
-RST
上升的写前导后的DQS的边缘，和输出数据是参考
转制的
-RST
DQS上升沿边缘的读序言之后。
读取和写入访问到DDR3 SDRAM被爆为主导。
存取开始在一个选定的位置，并继续进行编程
在编程顺序位置号。访问开始时的
激活命令，然后接着是阅读报名
或写命令。地址位注册暗合了爱科特
VATE命令用于选择银行和起点某些地区列
重刑的突发访问。
DDR3 SDRAM器件使用READ和WRITE BL8和BC4 。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自定时ROW PRE-
该充电开始时的突发访问结束。
与标准的DDR SDRAM器件，流水线，多银行architec-
在DDR3 SDRAM的TURE允许并发操作，从而provid-
通过隐藏行预充电及激活时间荷兰国际集团的高带宽。
自刷新模式，为所有温度等级的产品
随着自动自刷新的工业产品，以及，加电
保存，掉电模式。
I
NDUSTRIAL
T
emperature
工业温度（ I）设备要求的情况下温度不
超过-40℃ + 85℃。 JEDEC特定网络阳离子所需要的刷新率
当锝超过+ 85℃的两倍;这也需要使用高的
温度自刷新选项。此外， ODT电阻
当Tc为<0˚C或输入/输出阻抗必须降低
>+85˚C.
E
XTENDED
T
emperature
在扩展级温度（ E）设备要求的情况下温度不
超过-40℃ + 105℃。 JEDEC特定网络阳离子所需要的刷新率
当锝超过+ 85℃的两倍;这也需要使用高的
温度自刷新选项。此外， ODT电阻
当Tc为<0˚C或输入/输出阻抗必须降低
>85˚C.
M
ILITARY
, E
XTREME
O
操作摄像机
T
emperature
该明康温度（ M）设备要求的情况下温度不超过-55℃
或+ 125°C 。 JEDEC要求的刷新率双时超过锝
+ 85℃， LDI建议额外的降额作为本规范主编
文档妥善维持温度的DRAM核心的电池充电
Tures的上述Tc>105˚C 。
逻辑器件股份有限公司
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高性能，集成的内存模块产品
2009年7月8日LDS - L9D320G32BG6 -A
LOGIC [ LOGIC DEVICES INCORPORATED ]
