Y20DSE
大功率超高速半导�½�开关
L i u j in g r e cti fi e r co ., L td .
特点
1).
纳秒级的开通速度
2).
极高的脉冲输出电流
3).
无损伤、寿�½长
I
P
V
DRM
I
TSM
10 KA
1500-1800V
1 KA
典型应用
1).
大功率激光器
3).
核物理和�½防应用
2).
等离子�½�粉碎技术
主要参数
符号
I
P
V
DRM
I
TSM
V
TM
dv/dt
di/dt
I
RT
T
T
t
q
F
m
Size
参数
重复峰值电流
断态重复峰值电压
正向峰值电压
Gate voltageV
GT
,V
测试条件
最小
T
j
=25
℃
I
RT
=50A t
p
=50
μ
s
T
j
=25
℃
T
j
=25
℃
I
p
=10KA t
p
=50
μ
s
Gate voltageV
GT
,V
P
GM
=100W
(100 s spulse
25
C
125 C
参数值
典型
最大
10
1500
-30 C
-10 C
单�½�
KA
V
KA
V
KV/
μ
s
KV/
μ
s
KA
2.5
μ
s
μ
s
5.5
KN
mm
1800
1
20
0.6
2.5
0.05
Gate characteristic
Gate
通态不重复浪涌电流
at 25 C junction temperature
T
j
=25
℃
t
p
=10ms
Trigger Zone at varies temperature
断态电压上升率
通态电流上升率
反向触发峰值电流
触发脉冲�½度
关断时间
安装力
包装盒尺寸
T
j
=25
℃
t
p
=50
μ
s
1.5
100
3.3
Gate currentI
GT
,A
Fig.9
95
×
95
×
50
Gate currentI
GT
,mA
Fig.10
外�½�尺寸图
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