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     MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
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    IMBF170R450M1

     CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    NVLJWS070N06CLTAG

     Single N−Channel µCool™ Power MOSFET 60 V, 62 mΩ, 11 A
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    GRT0335C2A110JA02#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GCJ21BR71E334KA01#

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