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LT1175CS8 参数 Datasheet PDF下载

LT1175CS8图片预览
型号: LT1175CS8
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内容描述: 500毫安负低压差稳压器微 [500mA Negative Low Dropout Micropower Regulator]
分类和应用: 稳压器调节器光电二极管输出元件
文件页数/大小: 18 页 / 306 K
品牌: LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
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LT1175
应用信息
通常,当稳压器使用本身是件好事,
但它可以防止用户关闭调节器
当第二电源被连接到LT1175
输出。如果有源输出下拉需要在关机,
它可以由外部的耗尽模式的PFET作为添加
如图2所示。另外,最大的夹断电压
该PFET的年龄必须小于正逻辑高
水平,以确保该设备完全关闭时,
调节器是活动的。摩托罗拉J177设备具有300Ω
导通电阻为零栅源电压。
3V至5V
还允许在功率晶体管接近其理论
饱和极限。
输出电容
几个新的稳压器设计技术被用来制造
该LT1175非常宽容的输出电容的选择。
就像它使用一个收藏家或大部分低压差设计
功率晶体管的漏极连接到驱动器的输出节点,所述
LT1175使用输出电容器作为整体的一部分
环路补偿。旧的监管机构通常要求
输出电容有1μF的为最小值
100μF一
最大
ESR (等效串联电阻)
,
为0.1Ω 1Ω和
最低
血沉在0.03Ω至的范围内
0.3Ω 。这些限制通常只能与满足
良好的品质固态钽电容。铝电容器
器有问题,血沉高,除非要高得多
电容的值用(物理上大)。血沉
陶瓷或薄膜电容器太
低,
这使得
电容/ ESR零点频率太高,保持
相位裕度的调节。即使有最佳的电容
器,环路的相位裕度是非常低的在以前的设计中
当输出电流低。这些问题导致了新
设计技术的LT1175误差放大器ER和内部
频率补偿,如图3所示。
传统的调节环路由误差放大器
A1 ,驱动三极管Q2和功率晶体管Q1 。额外
这一基本回路是由第三季度产生的二次回路
和C
F
。送入错误的直流负反馈电流
通过Q3和R放大器
N
使整个回路电流
增益是很低的,在轻负载电流。这不是一个
问题的原因是非常小的收益,需要在轻负载。
除了低增益,寄生极点频率在Q2的
基数由DC反馈延长。的组合
这两种效应可显着提高环的相位裕度
在轻负载,使较大的ESR在回路宽容
输出电容器。随着重物,环路相位和增益
是不是几乎一样麻烦和较大的负反馈
可能会降低监管。的对数行为
Q1的基极发射极电压降低了Q3的负反馈
在重载荷,以防止监管较差。
在传统的设计中,即使在非线性反馈
会出现较差环路相位裕度在中等至重
如果负载输出电容的ESR低于0.3Ω 。
1175fe
+
SHDN
–V
IN
V
IN
I
LIM2
I
LIM4
LT1175-5
产量
GND
SENSE
s
Q1*
d
C
OUT
≥ 0.1µF
·摩托罗拉J177
夹断电压必须小于
正逻辑高电压
1175 F02
图2.有源输出下拉在关机
最低压差电压
电压差所需的最低电压
输入和输出,以维持适当的输出调节。
对于年龄较大的三端稳压器设计,电压差
是典型的1.5V至3V 。该LT1175采用饱和
功率晶体管设计,提供低得多差
电压,通常为100mV在轻负载和450mV满
负载。采取特殊的预防措施,以确保本
技术不会导致静态电源电流为
在轻负载条件下的高。当稳压器的输入
电压过低,不能维持稳定的输出,通
因为它试图晶体管驱动硬盘的错误扩增fi er
保持调控。由驱动器吸收的电流
晶体管可以是几十毫安的甚至很少或
对输出没有负载。这实在是对老年人的情况下
IC设计,并没有积极限制驱动电流时,
功率晶体管饱和。该LT1175采用一个新的
抗饱和技术,避免过大的驱动电流,