LT1175CS8-PBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LT1175CS8-PBF
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内容描述：	500毫安负低压差稳压器微 [500mA Negative Low Dropout Micropower Regulator]
分类和应用：	稳压器
文件页数/大小：	18 页 / 306 K
品牌：	LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]

LT1175

应用信息

通常，当稳压器使用本身是件好事，

但它可以防止用户关闭调节器

当第二电源被连接到LT1175

输出。如果有源输出下拉需要在关机，

它可以由外部的耗尽模式的PFET作为添加

如图2所示。另外，最大的夹断电压

该PFET的年龄必须小于正逻辑高

水平，以确保该设备完全关闭时，

调节器是活动的。摩托罗拉J177设备具有300Ω

导通电阻为零栅源电压。

3V至5V

还允许在功率晶体管接近其理论

饱和极限。

输出电容

几个新的稳压器设计技术被用来制造

该LT1175非常宽容的输出电容的选择。

就像它使用一个收藏家或大部分低压差设计

功率晶体管的漏极连接到驱动器的输出节点，所述

LT1175使用输出电容器作为整体的一部分

环路补偿。旧的监管机构通常要求

输出电容有1μF的为最小值

100μF一

最大

ESR （等效串联电阻）

为0.1Ω 1Ω和

最低

血沉在0.03Ω至的范围内

0.3Ω 。这些限制通常只能与满足

良好的品质固态钽电容。铝电容器

器有问题，血沉高，除非要高得多

电容的值用（物理上大）。血沉

陶瓷或薄膜电容器太

低，

这使得

电容/ ESR零点频率太高，保持

相位裕度的调节。即使有最佳的电容

器，环路的相位裕度是非常低的在以前的设计中

当输出电流低。这些问题导致了新

设计技术的LT1175误差放大器ER和内部

频率补偿，如图3所示。

传统的调节环路由误差放大器

A1 ，驱动三极管Q2和功率晶体管Q1 。额外

这一基本回路是由第三季度产生的二次回路

和C

。送入错误的直流负反馈电流

通过Q3和R放大器

使整个回路电流

增益是很低的，在轻负载电流。这不是一个

问题的原因是非常小的收益，需要在轻负载。

除了低增益，寄生极点频率在Q2的

基数由DC反馈延长。的组合

这两种效应可显着提高环的相位裕度

在轻负载，使较大的ESR在回路宽容

输出电容器。随着重物，环路相位和增益

是不是几乎一样麻烦和较大的负反馈

可能会降低监管。的对数行为

Q1的基极发射极电压降低了Q3的负反馈

在重载荷，以防止监管较差。

在传统的设计中，即使在非线性反馈

会出现较差环路相位裕度在中等至重

如果负载输出电容的ESR低于0.3Ω 。

1175fe

SHDN

–V

LIM2

LIM4

LT1175-5

产量

GND

SENSE

Q1*

OUT

≥ 0.1µF

·摩托罗拉J177

夹断电压必须小于

正逻辑高电压

1175 F02

图2.有源输出下拉在关机

最低压差电压

电压差所需的最低电压

输入和输出，以维持适当的输出调节。

对于年龄较大的三端稳压器设计，电压差

是典型的1.5V至3V 。该LT1175采用饱和

功率晶体管设计，提供低得多差

电压，通常为100mV在轻负载和450mV满

负载。采取特殊的预防措施，以确保本

技术不会导致静态电源电流为

在轻负载条件下的高。当稳压器的输入

电压过低，不能维持稳定的输出，通

因为它试图晶体管驱动硬盘的错误扩增fi er

保持调控。由驱动器吸收的电流

晶体管可以是几十毫安的甚至很少或

对输出没有负载。这实在是对老年人的情况下

IC设计，并没有积极限制驱动电流时，

功率晶体管饱和。该LT1175采用一个新的

抗饱和技术，避免过大的驱动电流，

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