LT1175
应用信息
通常，当稳压器使用本身是件好事，
但它可以防止用户关闭调节器
当第二电源被连接到LT1175
输出。如果有源输出下拉需要在关机，
它可以由外部的耗尽模式的PFET作为添加
如图2所示。另外，最大的夹断
该PFET的电压必须小于正逻辑
高电平，以保证该设备是完全关闭时
该调节器被激活。摩托罗拉J177设备有
300Ω电阻为零栅源电压。
3V至5V
+
SHDN
–V
IN
输入
I
LIM2
I
LIM4
·摩托罗拉J177
夹断电压必须小于
正逻辑高电压
LT1175-5
GND
SENSE
OUT
s
Q1*
d
C
OUT
≥
0.1µF
1175 F02
图2.有源输出下拉在关机
最低压差电压
电压差所需的最低电压
输入和输出，以维持适当的输出调节。为
旧的三端稳压器设计，压差电压为
通常为1.5V到3V 。该LT1175采用一个功率饱和
晶体管设计，提供了更低的电压降
年龄，通常为100mV在轻负载和450mV在满负荷。
采取特殊的预防措施，以确保该技
NIQUE不会导致静态电源电流为高
在轻负载条件下。当稳压器的输入
电压过低，不能维持稳定的输出，通
因为它试图晶体管被驱动的硬盘由误差放大器
保持稳压。由驱动器吸收的电流
晶体管可以是几十毫安的甚至很少或
对输出没有负载。这实在是对老年人的情况下
IC设计，并没有积极限制驱动电流时，
功率晶体管饱和。该LT1175采用一个新的
抗饱和技术，避免过大的驱动电流，
U
W
U
U
还允许在功率晶体管接近其理论
饱和极限。
输出电容
几个新的稳压器设计技术被用来制造
该LT1175非常宽容的输出电容的选择
化。就像它使用一个收藏家最低压差设计
或者功率晶体管的漏极连接到驱动输出节点
的LT1175使用输出电容器作为整体的一部分
环路补偿。旧的监管机构通常要求
输出电容有1μF的为最小值
100μF ，一
最大
ESR （等效串联电阻）
为0.1Ω 1Ω和
最低
血沉在0.03Ω至的范围内
0.3Ω 。这些限制通常只能与满足
良好的品质固态钽电容。铝电容器
器有问题，血沉高，除非要高得多
电容的值用（物理上大）。血沉
陶瓷或薄膜电容器太
低，
这使得
电容/ ESR零点频率太高，保持
相位裕度的调节。即使有最佳的电容
器，环路的相位裕度是非常低的在以前的设计中
当输出电流低。这些问题导致了新
设计技术的LT1175误差放大器和接口
如图3纳尔频率补偿。
传统的调节环路由误差放大器
A1 ，驱动三极管Q2和功率晶体管Q1 。加入
这个基本的循环是由第三季度产生的二次回路和
C
F
。送入错误的直流负反馈电流
通过Q3和R放大器
N
使整个回路电流
增益是很低的，在轻负载电流。这不是一个
问题的原因是非常小的收益，需要在轻负载。在
除了低增益，寄生极点频率在Q2
基数由DC反馈延长。的组合
这两种效应极大地提高了环路相位裕
金酒在轻负载，使大ESR的循环宽容
在输出电容器。与重载荷，循环相和
增益是不是几乎一样麻烦和较大的负
反馈可以降低监管。对数behav-
Q1的基极发射极电压的ior降低Q3负
在重负载反馈，防止监管较差。
在传统的设计中，即使在非线性馈
回来了，可怜的环路的相位裕度会发生在中等
重物如果输出电容的ESR跌破
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LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
