LTC1142/LTC1142L/LTC1142HV
PI FU CTIO S
NC （引脚7,8） ：
无连接。
PDrive工具5 （引脚9 ）
高电流驱动，顶P沟道
MOSFET ， 5V节。电压摆幅在这个引脚从V
IN5
到地面。
V
IN5
（引脚10 ） ：
电源引脚， 5V的部分，必须紧密
去耦至5V的电源接地引脚18 。
C
T5
（引脚11 ） ：
外部电容C
T5
从11脚到地
设置工作频率为5V部。 （实际
频率也取决于输入电压）。
INTV
CC5
（引脚12 ） ：
内部电源电压为5V的
节，名义上是3.3V ，可以分离信号地，
引脚17 ，不要从外部加载此引脚。
I
TH5
（引脚13 ） ：
增益放大器分离点， 5V见第
化。 5V的部分电流比较器的阈值IN-
折痕与13引脚的电压。
SENSE
–
5 （引脚14 ） ：
连接到内部电阻分压器
这台输出电压为5V的部分。引脚14
也将（ - ）输入端上的电流比较
5V的部分。
SENSE
+
5 （引脚15 ） ：
在（ + ）输入到5V电流节
比较器。内置的在销15和14之间的偏移量
连接R
SENSE5
设置当前行门槛
为5V部分。
SHDN5 （引脚16 ） ：
当接地， 5V的部分工作
正常。拉引脚16的高持有两个MOSFET关闭，
放入微功耗关断模式下， 5V部分。
需要采用t CMOS逻辑信号
r
, t
f
<为1μs 。不要“浮”
引脚16 。
SGND5 （引脚17 ） ：
5V的部分小信号必须地
分开敷设其他理由的（ - ） termi-
最终的5V输出部分电容。
PGND5 （引脚18 ） ：
5V的部分驱动电源地
连接到源极的N沟道MOSFET和（ - ）
5V的部分输入电容的终端。
NC （引脚19 ） ：
无连接。
NDRIVE 5 （引脚20 ） ：
高电流驱动下
N沟道MOSFET ， 5V节。电压摆幅在引脚20
是从地面到V
IN5
.
NC（引脚21 ， 22）：
无连接。
PDrive工具3 （引脚23 ） ：
高电流驱动，顶P沟道
MOSFET ， 3.3V部分。电压摆幅该引脚为
V
IN3
到地面。
V
IN3
（引脚24 ） ：
电源引脚， 3.3V部分，必须紧密
去耦至3.3V电源接地， 4脚。
C
T3
（引脚25 ） ：
外部电容C
T3
从25脚到地
设置工作频率为3.3V部。 （本
实际频率也取决于输入电压）。
INTV
CC3
（引脚26 ） ：
内部电源电压为3.3V的
节，名义上是3.3V ，可以分离信号地，
脚3.不要在外部加载此引脚。
I
TH3
（引脚27 ） ：
增益放大器分离点， 3.3V
部分。本节3.3V电流比较器的阈值
增大了与引脚27的电压。
SENSE
–
3 （引脚28 ） ：
连接到内部电阻分压器
这台输出电压为3.3V的部分。 28针
也是（ - ）输入端上的电流比较
3.3V部分。
6
U
U
U
LTC1142HV-ADJ/LTC1142L-ADJ
SENSE
+
1 （引脚1 ） ：
在（ + ）输入到第1电流
比较器。内置在引脚1和28之间的偏移
连接R
SENSE1
设置当前行门槛
本节。
V
FB1
（引脚2 ） ：
该引脚作为从反馈引脚
外部电阻分压器，用于设置输出电压为
第1节。
SHDN1 （引脚3 ） ：
当接地时，第1稳压器
正常操作。拉引脚3的高持有两个MOSFET
关闭并将本条微功率停机模式。
需要采用t CMOS逻辑信号
r
, t
f
<为1μs 。不要“浮”
3脚。
SGND1 （引脚4 ） ：
必须在第1小信号地
分开敷设其他理由的（ - ） termi-
最终在第1输出电容。
PGND1 （引脚5 ） ：
本节1驱动器电源地CON-
nects到源的N沟道MOSFET和（ - ）端子
的第1输入电容。
LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
