LTC1693
应用信息
概观
该LTC1693单通道和双通道驱动器允许3V〜 5V或基于
数字电路来驱动功率MOSFET高速。一
功率MOSFET的栅极电荷损耗随开关
荷兰国际集团的频率和过渡时间。该LTC1693能够
驾驶一个1nF负载16ns的上升和利用下降时间
V
CC
为12V 。这消除了需要更高电压
用品，如18V，以降低栅极电荷损失。
该LTC1693的360μA静态电流的订单
幅度比大多数其他车手/缓冲器低。这
提高了系统的效率待机和开关的
操作。由于功率MOSFET一般占
大部分功率损耗的一个转换器，加法
LT1693到高功率转换器的设计极大地提高了
效率高，使用非常小的电路板空间。
该LTC1693-1和LTC1693-2是双驱动器是
电隔离。每个驱动器都有独立的操作
灰从其它。驱动器可以在不同的部分使用
一个系统的，如一个电路需要一个浮动驱动和
所述第二驱动器被供电相对于地面。
输入级
该LTC1693采用3V CMOS兼容输入阈值
孩子，其允许低电压数字信号以驱动
标准
功率MOSFET。该LTC1693集成了一个内部4V
调节偏置输入缓冲器。这允许3V的CMOS
兼容的输入阈值（V
IH
= 2.6V, V
IL
= 1.4V ）是
变化无关Ⅴ的
CC
。在1.2V滞后
V之间
IH
和V
IL
消除了因误触发
在开关转换地面的噪音。该LTC1693的
输入缓冲器具有高的输入阻抗，并绘制较少
比待机时10μA 。
输出级
该LTC1693的输出级基本上是一个CMOS IN-
换器，如在所示的P和N沟道MOSFET
图1 （ P1和N1） 。 CMOS反相器摆动轨到
轨，给出最大电压驱动到负载。这个大
电压摆幅在驱动外部功率很重要
的MOSFET ，中R
DS （ ON）
反比于它的
栅极过驱动电压（V
GS
– V
T
).
V
CC
V
+
L
EQ
（ LOAD电感
其它寄生LEAD
电感）
V
漏
P1
C
GD
OUT
动力
MOSFET
N1
GND
1693 F01
8
U
W
U
U
LTC1693
C
GS
图1.电容看到OUT期间切换
的LTC1693的输出的峰值电流是1.4A （P1）和
1.7A （N1）分别。的N沟道MOSFET （N1 ）具有
较高的电流驱动能力，因此它可以排出
在功率MOSFET的栅极电容的高到低
信号转换。当功率MOSFET的栅极
拉低LTC1693 ，其漏极电压被拉高
通过它的载荷（例如，电阻器或电感器） 。的压摆率
漏极电压使得电流回流到MOSFET的
通过它的栅极 - 漏极电容的栅极。如果MOSFET
驱动器不具有足够的吸收电流能力（低
输出阻抗），电流通过电源
MOSFET的米勒电容（C
GD
）可以随时拉
门高，把MOSFET重新打开。
上升/下降时间
由于功率MOSFET一般占马
功率转换器丢失jority ，重要的是要迅速
把它要么完全“开”或“关” ，从而最大限度地减少了转录
习得时间在其线性区域。该LTC1693具有上升和
下降时间16ns内的顺序，提供约1.4A至1.7A
峰值电流为1nF的负载与V的
CC
只有12V 。
该LTC1693的上升和下降时间被确定
P1和N1的峰值电流能力。预驱动器，
在图1中的驱动P1和N1如图所示，使用自适应
方法，以减少交叉传导电流。这是
有6ns的不重叠的过渡时间内完成。 N1是完全
P1之前关闭是导通的，反之亦然使用此
6ns的缓冲时间。这最大限度地减少任何交叉传导
电流而N1和P1的导通和关断尚未被
短到不能延长他们的上升和下降时间。
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