LTC1693
高速单/双
N沟道MOSFET驱动器
特点
s
s
DESCRIPTIO
s
s
s
s
s
s
s
在SO - 8封装的双MOSFET驱动器
采用MSOP封装或单MOSFET驱动器
1GΩ电双驱动器之间的隔离
允许高/低侧栅极驱动器
1.5A峰值输出电流
16ns的上升/下降时间在V
CC
= 12V ，C
L
= 1nF的
宽V
CC
范围： 4.5V至13.2V
CMOS兼容输入与迟滞，
输入阈值是独立的V
CC
驱动器输入可驱动超过V
CC
欠压锁定
热关断
此外，LTC
®
1693系列驱动功率N沟道MOSFET
在高速。 1.5A的峰值输出电流降低
开关损耗的MOSFET在高栅极电容。
该LTC1693-1包含两个非反相驱动器，而
该LTC1693-2包含一个同相和一个invert-
荷兰国际集团的驱动程序。这些双驱动器是电隔离，
独立的。该LTC1693-3是一个单一的驱动器
输出极性选择引脚。
所有的MOSFET驱动器提供V
CC
独立的CMOS输入
阈值具有典型的滞后1.2V 。他们可以LEVEL-
移的输入逻辑信号向上或向下的轨到轨V
CC
驱动外部MOSFET。
该LTC1693包含一个欠压锁定电路
即禁止外部热关断电路
N沟道MOSFET栅极驱动器启动的时候。
该LTC1693-1和LTC1693-2都在8引脚SO封装
年龄。该LTC1693-3采用8引脚MSOP封装。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
应用S
s
s
s
s
s
电源
高/低侧驱动器
马达/继电器控制
线路驱动器
电荷泵
典型用途
V
IN
48VDC
±10%
回报
两个晶体管正激变换器
C2
1.5µF
63V
+
C1
330µF
63V
R1
0.068Ω
12V
C5
1µF
17
C11
0.1µF
C9
1800pF
5%
NPO
R5
2.49k
1%
1
2
4
3
5
6
7
10
C10
0.1µF
C14
3300pF
R9
12k
C12
100pF
12V
IN
BOOST
LT1339
SYNC
5V
REF
SL / ADJ
C
T
I
AVG
SS
V
C
V
REF
SGND
C15
0.1µF
8
TS
SENSE
+
SENSE
–
BG
相
RUN / SHDN
V
FB
保护地
15
18
11
TG
20
19
BAT54
R6 100Ω
D2
MURS120
LTC1693CS8-2
8
V
CC1
IN1
2
7
GND1 OUT1
3
6
V
CC2
IN2
4
5
GND2 OUT2
1
C7
1µF
C8
1µF
Q1
MTD20NO6HD
T1
13:2
•
D3
MURS120
Q3
MTD20NO6HD
D4
MBRO530T1
12 R7 100Ω
16
14
13
9
R10
10k
1%
R8
301k
1%
LTC1693CS8-2
8
V
CC1
IN1
2
7
GND1 OUT1
3
6
IN2
V
CC2
4
5
GND2 OUT2
1
C13
1µF
C1 ： SANYO 63MV330GX
C2 ： WIMA SMD4036 / 1.5 / 63/ 20 / TR
C6 ： KEMET T510X477M006AS （ × 8 ）
L1 ： GOWANDA 50-318
T1 ： GOWANDA 50-319
1693 TA01
U
D1
MURS120
L1
1.5µH
C3
4700pF
25V
R2
5.1Ω
Q2
Si4420
×
2
V
OUT
1.5V/15A
C4
0.1µF
R3
249Ω
1%
R4
1.24k
1%
U
U
•
+
Q4
Si4420
C6
470µF
6.3V
×
8
回报
1
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