LT1175
电气特性
参数
电流限制（注12 ）
该
l
表示该应用在整个工作特定网络阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
OUT
= 5V, V
IN
= 7V ，我
OUT
= 0, V
SHDN
= 3V ，我
LIM2
我
LIM4
连接到V
IN
.
为了避免混淆， “ Min”和适用于负电压“最大” ，所有电压都显示为除非绝对值
极不明显。
条件
V
IN
– V
OUT
= 1V至12V
I
LIM2
开放
I
LIM4
开放
I
LIM2
, I
LIM4
开放
V
IN
– V
OUT
= 1V至V
IN
= 20V
I
OUT
= 0mA至500毫安
p = 0至P
最大
（注4,9 ）
T
J
= 25°C至T
jmin
，或25° C至T的
JMAX
5引脚封装
8引脚封装
l
l
l
l
l
l
民
520
390
260
130
典型值
800
600
400
200
0.003
0.1
0.04
0.1
0.25
最大
1300
975
650
325
0.015
0.35
0.1
0.2
1.25
单位
mA
mA
mA
mA
%/V
%
%/W
%/W
%
线路调整（注11 ）
负载调整率（注6 ， 11 ）
热调节
输出电压的温度漂移
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LT1175稳压器进行了测试和脉冲负载下的特定网络连接编
条件，例如那件T
J
T
A
。该LT1175C是100 ％生产测试
在T
A
= 25°C 。在0℃和125℃性能C被保证由设计，
鉴定和相关的统计过程控制。该
LT1175I保证在-40 ° C至125 ° C的工作结
温度范围。该LT1175MP是100 ％经过测试，保证在
在-55 ° C至125 ° C的工作结温范围内。
注3 ：
SHDN
销最大正电压是30V相对于
– V
IN
和13.5V相对于GND 。最大负电压是-20V
相对于GND和-5V相对于-V
IN
.
注4 ：
P
最大
= 1.5W的8引脚封装，并6W 5引脚封装。
只有这个功率电平保持输入至输出电压高达12V ，超越
其内部功率限制可能会降低功耗。请参阅保证电流
在典型性能特性部分限制曲线。注意，所有的
条件必须得到满足。
注5 ：
GND引脚电流，由于功率晶体管基数增大
驾驶。在低输入 - 输出电压（ <1V ），其中所述功率晶体管
在饱和度， GND引脚电流会稍高。见典型
性能特点。
注6 ：
与我
负载
= 0，在T
J
> 125°C ，功率晶体管的泄漏可能
比10μA至25μA的输出分频器或网络连接固定的抽高增长
电压检测引脚，使输出上升超过规定值。
为了防止出现这种情况，一个内部有源上拉会自动关闭
上，但电源电流将增加。
注7 ：
这是拉输出电压1V内所需的电流
停机期间地面。
注8 ：
电压差由输入电压等于测
正常调节的输出电压和测量之间的差
V
IN
和V
OUT
。对于100毫安提供最大500mA电流的电流，具有两个I
LIM
引脚连接到V
IN
最大差可由下式计算
V
DO
= 0.15 + 1.1Ω (I
OUT
).
注9 ：
热调节是在所造成的输出电压的变化
模具的温度梯度，所以它正比于芯片的功耗。
温度梯度达到小于100ms网络最终值。输出电压
100毫秒后的变化是由于绝对芯片温度变化，
基准电压温度COEF网络cient 。
注10 ：
0.8V的下限是保证以保持调节器中
关机。 2.5V的上限是保证以保持调节器
活跃的。任一极性，可以使用相对GND管脚。
注11 ：
负载和线路调整是在脉冲基础上与测量
为20ms或更小的脉冲宽度以保持芯片温度恒定。 DC
调控会受温度调节（注8 ）和芯片
温度的变化。负载调节特定网络阳离子也适用于电流
到特定网络连接的时候我编限流
LIM2
还是我
LIM4
处于打开状态。
注12 ：
电流限制降低输入至输出电压高于12V 。
请参阅图表中的典型性能特征为保证限制
12V以上。
注13 ：
工作在非常大的输入到输出的差分电压
（ >15V ）与负载电流小于5毫安需要一个输出电容
一个ESR大于1Ω ，防止低水平输出振荡。
1175ff
5
LINEAR_DIMENSIONS [ LINEAR DIMENSIONS SEMICONDUCTOR ]
