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LT1158ISW 参数 Datasheet PDF下载

LT1158ISW图片预览
型号: LT1158ISW
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内容描述: 半桥式N沟道功率MOSFET驱动器 [Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 22 页 / 250 K
品牌: LINEAR_DIMENSIONS [ LINEAR DIMENSIONS SEMICONDUCTOR ]
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LT1158
典型性能特性
直流电源电流
14
I
2
+ I
10
+ I
16
12
电源电流(mA )
电源电流(mA )
输入高
10
输入低
8
6
4
2
0
0
5
10
15 20 25 30
电源电压( V)
35
40
启用低
V13 = V
+
V13 = 0V
12
10
8
输入低
6
4
2
0
–50 –25
启用低
14
I
2
+ I
10
+ I
16
V
+
= 12V
25
电源电流(mA )
输入高
20
15
10
5
0
1
10
输入频率(千赫)
100
LT1158 G03
直流电源电流
30
动态电源电流(V
+
)
占空比为50%
C
= 3000pF的
V
+
= 24V
V
+
= 12V
V
+
= 6V
50
25
75
0
温度(℃)
100
125
LT1158 G01
LT1158 G02
动态电源电流
40
35
电源电流(mA )
30
25
20
15
10
5
0
1
10
输入频率(千赫)
100
LT1158 G04
电荷泵输出电压
50
输入门限电压( V)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
45
40
TOP栅极电压( V)
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10 15 20 25 30
电源电压( V)
0.8
35
40
10μA LOAD
空载
输入阈值
占空比为50%
V
+
= 12V
V( HIGH )
–40°C
+25°C
+85°C
–40°C
+25°C
+85°C
V( LOW )
C
= 10000pF
C
= 3000pF的
C
= 1000pF的
1.0
0
5
10 15 20 25 30
电源电压( V)
35
40
LT1158 G05
LT1158 G06
启用阈值
3.5
故障导听阈(MV )
启用阈值电压(V )
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
15 20 25 30
电源电压( V)
35
40
V( LOW )
–40°C
+25°C
+85°C
V( HIGH )
–40°C
+25°C
+85°C
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
故障导听阈
200
V11 = 0V
电流限制阈值(MV )
190
180
170
160
150
140
130
120
110
0
5
10 15 20 25 30
电源电压( V)
35
100
40
电流限制阈值
闭环
+85°C
+25°C
–40°C
+85°C
+25°C
–40°C
0
5
10 15 20 25 30
电源电压( V)
35
40
LT1158 G07
LT1158 G08
LT1158 G09
1158fb
4