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    LT1158 参数 Datasheet PDF下载

    LT1158图片预览
    型号： LT1158
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 半桥式N沟道功率MOSFET驱动器 [Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver]
    分类和应用： 驱动器
    文件页数/大小： 22 页 / 250 K
    品牌： LINEAR_DIMENSIONS [ LINEAR DIMENSIONS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号LT1158的Datasheet PDF文件第1页浏览型号LT1158的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LT1158的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LT1158的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LT1158的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LT1158的Datasheet PDF文件第7页浏览型号LT1158的Datasheet PDF文件第8页浏览型号LT1158的Datasheet PDF文件第9页  
    LT1158
    典型性能特性
    电流限制禁止
    V
    DS
    门槛
    1.50
    电流限制阈值INHIBIT （V ）
    1.45
    1.40
    1.35
    1.30
    1.25
    1.20
    1.15
    1.10
    1.05
    1.00
    0
    5
    10 15 20 25 30
    电源电压（ V）
    35
    40
    –40°C
    +25°C
    +85°C
    V2 – V11
    底栅上升时间（ NS ）
    400
    350
    300
    250
    200
    150
    100
    50
    0
    0
    5
    C
    门
    = 1000pF的
    C
    门
    = 3000pF的
    C
    门
    = 10000pF
    底栅下降时间（ NS ）
    底栅上升时间
    400
    350
    300
    250
    200
    150
    100
    50
    40
    0
    底栅下降时间
    C
    门
    = 10000pF
    C
    门
    = 3000pF的
    C
    门
    = 1000pF的
    0
    5
    10 15 20 25 30
    电源电压（ V）
    35
    40
    10 15 20 25 30
    电源电压（ V）
    35
    LT1158 G10
    LT1158 G11
    LT1158 G12
    顶栅上升时间
    400
    350
    顶栅下降时间（ NS ）
    顶栅上升时间（ NS ）
    300
    250
    200
    150
    100
    50
    0
    0
    5
    C
    门
    = 1000pF的
    C
    门
    = 3000pF的
    C
    门
    = 10000pF
    400
    350
    顶栅下降时间
    800
    700
    C
    门
    = 10000pF
    转换时间（纳秒）
    600
    500
    400
    300
    200
    100
    0
    5
    10 15 20 25 30
    电源电压（ V）
    35
    40
    0
    转型时代VS ř
    门
    V
    +
    = 12V
    C
    门
    = 3000pF的
    300
    250
    200
    150
    100
    上升时间
    下降时间
    C
    门
    = 3000pF的
    C
    门
    = 1000pF的
    50
    35
    40
    0
    10 15 20 25 30
    电源电压（ V）
    0
    10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
    栅极电阻（ Ω ）
    LT1158 G15
    LT1158 G13
    LT1158 G14
    1158fb
    5

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