欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

LND-820 参数 Datasheet PDF下载

LND-820图片预览
型号: LND-820
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 115 K
品牌: LINEAR_DIMENSIONS [ LINEAR DIMENSIONS SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号LND-820的Datasheet PDF文件第1页浏览型号LND-820的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LND-820的Datasheet PDF文件第4页  
LND820/821/822/823
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/
∆T
J
I
D(上)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
参数
漏 - 源
击穿电压
击穿电压温度。
系数
导通状态漏极
电流(注2)
静态漏 - 源开 -
Resistace
栅极阈值电压
前锋
漏极 - 源极漏
电流(T
C
=125ºC)
栅极 - 源极正向
泄漏
栅极 - 源极的反向
泄漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( “米勒” )
收费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
输入源极电感
输入电容
输出电容
反向传输
电容
LND820/821
LND821/823
LND820/821
LND822/823
LND-820/822
LND821/823
条件
V
GS
=0V,
I
D =
250µA
参考至25℃
I
D=
1mA
V
GS
& GT ;我
D(上)
x
R
DS ( ON)
马克斯,V
GS
=10V
V
GS
=0V,I
D =
1.5A(4)
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250µA
V
DS
=50V,I
D
=1.5A(4)
V
DS =
500V,V
GS
=0V
V
DS =
400V,V
GS =
0V
V
GS
=-20V
V
GS
=-20V
I
D
=2.1A
V
DS =
400V
V
GS
=10V (4)
V
DD =
250V
I
D
=2.1A
R
G
=18Ω
R
D
=100Ω (4)
与铅6毫米
(0.25 )
从封装
模具联络中心
V
GS
=0V
V
DS
=25V
F = 1.0 MHz的
500
450
-
2.5
2.2
典型值
-
0.59
-
最大
-
-
-
3.0
4.0
单位
V
V / OC
A
V
S
µA
µA
nA
2.0
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
-
25
250
-
-
-
-
-
8.0
8.6
33
16
4.5
100
-100
24
3.3
13
Q
g
QQS
nC
t
D(上)
t
r
t
d
(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
ns
nH
7.5
360
92
37
pF
线性尺寸有限公司
445东俄亥俄街,芝加哥IL 60611 USA
电话: 312.321.1810
传真312.321.1830