LTC3226
电气特性
符号
LDO
最低CPO电压LDO操作
V
LDO_FB
LDO FB伺服电压
负载调整率ΔV
LDO_FB
/ΔI
OUT
LDO FET ř
DS （ ON）
I
LDO_FB （泄漏）
LDO_FB输入漏电流
I
LIM
RST_FB ，
RST
V
RST_FB （ TH ）
V
RST_FB （ HYS ）
I
RST_FB （泄漏）
RST_FB阈值（下降沿）
RST_FB滞后
RST_FB输入漏电流
RST
输出低电压
RST
高阻抗漏电流
RST
延迟（ RST_FB上升）
电源失效比较器
V
PFI （ TH ）
V
PFI （ HYS ）
I
PFI （泄漏）
I
PFO （泄漏
)
EN_CHG
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
l
l
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25 ℃（注3） 。 V
IN
= 3.3V, V
CPO
= 5V, V
OUT
= 3.3V ， VMID = 1/2 V
CPO
除非另有说明。
参数
条件
民
2.4
I
VOUT
= 1毫安
1毫安＆ LT ;我
VOUT
< 2A
V
CPO
= 3.6V
V
LDO_FB
= 0.9V
l
l
典型值
最大
单位
V
0.76
0.8
2.7
200
0.82
V
毫伏/ A
mΩ
–60
2
0.72
–50
65
4
0.74
20
60
nA
A
LDO电流限制
0.76
50
1
V
mV
nA
mV
μA
ms
V
RST_FB
= 0.9V
I
SINK
= 5毫安
V
RST
= 5V
290
l
l
l
PFI输入阈值（下降沿）
PFI输入滞后
PFI输入漏电流
PFO
输出低电压
PFO
高阻抗漏电流
PFI延迟到
PFO
（ PFI下降）
V
PFI
= 0.5V
I
SINK
= 5毫安
V
PFO
= 5V
1.175
–50
1.2
20
1.225
50
V
mV
nA
mV
μA
μs
V
65
1
0.5
1.3
0.4
–1
–1
1
1
V
μA
μA
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
否则焊接封装的背面裸露到PC
板的接地平面将导致热阻远大于
58.7°C/W.
注3 ：
该LTC3226是脉冲负载条件，那件T下测试
A
≈ T
J
.
该LTC3226E是保证符合规格从0 ° C至85°C
结温。特定网络连接的阳离子在-40° C至125 ° C的工作
结温范围是由设计，表征和放心
相关的统计过程控制。该LTC3226I保证
在-40 ° C至125 ° C的工作结温范围内。该
结温，T
J
中，从环境温度T计算出的
A
,
和功耗，磷
D
根据下式：
T
J
= T
A
+ (P
D
• 58.7 ° C / W）
注意，最大环境温度与这些相一致
规格是由在特定的操作条件来确定
与电路板布局，额定热封装的热结合
性和环境因素。
注4 ：
输出不监管; ř
OL
= (2 • V
IN
– V
CPO
)/I
CPO
.
3226fa
4
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
