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LT1162ISW 参数 Datasheet PDF下载

LT1162ISW图片预览
型号: LT1162ISW
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内容描述: 半/全桥N沟道功率MOSFET驱动器 [Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 16 页 / 229 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
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LT1160/LT1162
TI I G DIAGRA
2V
在顶部
0.8V
2V
从下
0.8V
t
r
12V
顶栅
司机
0V
t
r
12V
底部
DRIVER 0V
t
D1
2V
t
f
t
D4
1160至1162年TD
10V
单操作
(参见原理图)
该LT1160 (或1/2 LT1162 ),集成了两个indepen-
凹痕驱动通道具有独立的输入和输出。该
输入为TTL / CMOS兼容;它们可以承受
输入电压高达V
+
。在1.4V输入阈值
规范并具有滞后300mV的。两个通道都
同相的驱动程序。内部逻辑既防止
从输出的同时在任何输入开启
条件。当两个输入都是高电平两个输出都
主动拉低。
浮动电源的顶部驱动器由一个设置
之间的升压引脚和顶部自举电容
源极引脚。此电容器是在每次充电
负极板变为低电平的PWM操作。
欠压检测电路将禁用两个通道
当V
+
低于欠压跳变点。单独
8
W
t
D3
10V
2V
t
D1
t
D3
t
D2
t
f
t
D4
t
D2
U
UW
UV检测模块禁用高侧通道时,
V
BOOST
– V
Tsource和
低于其自身的欠电压跳闸
点。
在LT1160的顶部和底部栅极驱动器的每个利用
两个栅极连接: 1)将栅极驱动销,其提供
导通和关断电流,通过一个可选系列
栅极电阻器,和2)的栅极反馈引脚相连接
直接将其栅极连接到监控的栅极至源极电压。
每当有一个输入转换到命令
输出改变状态时, LT1160遵循的逻辑
顺序关闭一个MOSFET ,并打开其他的。
首先,关断启动,则V
GS
被监视,直到它具有
下降低于关闭阈值,最后
其它栅极导通。
11602fb