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LT1162CSW 参数 Datasheet PDF下载

LT1162CSW图片预览
型号: LT1162CSW
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内容描述: 半/全桥N沟道功率MOSFET驱动器 [Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 16 页 / 229 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
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LT1160/LT1162
引脚功能
LT1160
SV
+
(引脚1 ) :
主信号供应。必须紧密脱钩
到信号地引脚5 。
在TOP (引脚2 ) :
顶部驱动器输入。 2脚被禁用时,针
图3是高的。 3K的输入电阻后跟一个5V的内部
夹具防止输入晶体管的饱和度。
从下(引脚3 ) :
底部驱动器输入。 3脚被禁用
当2脚为高电平。 3K的输入电阻其次是5V
内部钳位防止输入晶体管的饱和度。
紫外线(引脚4 ) :
欠压输出。集电极开路NPN
输出果然V时
+
降到低于
欠压阈值。
SGND (引脚5 ) :
小信号地。必须路由
独立于其他理由系统接地。
PGND (引脚6 ) :
底层驱动电源地。连接
源底N沟道MOSFET 。
B门FB (引脚8 ) :
底栅反馈。必须连接
直接向底部功率MOSFET的栅极。顶部
MOSFET的导通被抑制,直到8引脚放电至
低于2.5V 。
B GATE DR (引脚9 )
底栅驱动器。高强度电流
驱动点的底部MOSFET。当栅极电阻
用它插入脚和9的栅极之间
MOSFET。
PV
+
(引脚10 ) :
底部驱动器电源。必须连接到
同一电源引脚1 。
牛逼源(引脚11 ) :
顶部驱动程序返回。连接到
顶MOSFET的源和自举的低压侧
电容。
牛逼GATE FB (引脚12 ) :
顶栅反馈。必须连接
直接顶端功率MOSFET的栅极。底部
MOSFET的导通被抑制,直至V
12
– V
11
已出院
低于2.9V 。
牛逼GATE DR (引脚13 ) :
顶栅驱动器。高电流驱动
指向高端MOSFET 。当栅极电阻使用它
插入针13与MOSFET的栅极之间。
BOOST (引脚14 ) :
顶部驱动器电源。连接到高
自举电容的一面。
6
U
U
U
LT1162
SV
+
(引脚1,7 ) :
主信号供应。必须密切
去耦至接地引脚5和第11 。
在TOP (引脚2,8 ) :
顶部驱动器输入。输入顶部
当输入底高禁用。 3K的输入电阻
接着是5V内部钳位防止了饱和
输入晶体管。
从下(引脚3,9) :
底部驱动器输入。输入
当输入前高底被禁用。 3K的输入
电阻后跟一个5V的内部钳位防止饱和
化的输入晶体管。
紫外线(引脚4,10) :
欠压输出。集电极开路
NPN输出,变成V时
+
降到低于
欠压阈值。
GND (引脚5 , 11 ) :
接地连接。
B门FB (引脚6,12 ) :
底栅反馈。必须
直接连接到所述底部的功率MOSFET的栅极。该
高端MOSFET的导通被抑制,直至底栅馈
回销已排至低于2.5V 。
B GATE DR (引脚13 , 19 ) :
底栅驱动器。高
电流驱动点的底部MOSFET。当栅极
电阻器用于它被插入在底部栅极之间
传动销与所述MOSFET的栅极。
PV
+
(引脚14 , 20 ) :
底部驱动器电源。必须CON组
连接至同一个电源引脚1和7 。
牛逼源(引脚15 , 21 ) :
顶部驱动程序返回。连接
高端MOSFET的源和自举的低压侧
电容。
牛逼GATE FB (引脚16 , 22 ) :
顶栅反馈。必须
直接连接到顶部的功率MOSFET的栅极。该
底部MOSFET的导通被抑制,直至V
TGF
– V
Tsource和
放电至2.9V以下。
牛逼GATE DR (引脚17 , 23 ) :
顶栅驱动器。高强度电流
驱动点为高端MOSFET 。当栅极电阻为
用它插入顶栅驱动器和引脚之间
MOSFET的栅极。
BOOST (引脚18 , 24 ) :
顶部驱动器电源。连接到
高压侧自举电容。
11602fb