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LT1160CN 参数 Datasheet PDF下载

LT1160CN图片预览
型号: LT1160CN
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内容描述: 半/全桥N沟道功率MOSFET驱动器 [Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers]
分类和应用: 驱动器接口集成电路光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 229 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
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LT1160/LT1162
典型性能特性
直流电源电流
与电源电压
14
13
14
13
V
+
= 12V
电源电流(mA )
电源电流(mA )
11
10
9
8
7
6
5
8
10
12
14
16
18
电源电压( V)
20
22
V
INTOP
=高
V
INBOTTOM
= LOW
V
INTOP
= LOW
V
INBOTTOM
=高
11
10
9
8
7
6
5
–50
V
INTOP
=高
V
INBOTTOM
= LOW
两个输入端
高或低
电源电流(mA )
12
两个输入端
高或低
DC +动态电源电流
与输入频率
60
50
电源电流(mA )
40
C
= 10000pF
30
20
10
0
C
= 3000pF的
占空比为50%
V
+
= 12V
电源电压( V)
11
10
起动阈值
9
8
7
6
C
= 1000pF的
1
10
100
输入频率(千赫)
1000
1160/62 G04
V
BOOST
– V
Tsource和
电压(V)的
输入阈值电压
与温度
2.0
V
+
= 12V
14
13
V
12
输入门限电压( V)
1.8
1.6
输入电流( μA )
11
10
9
8
7
6
5
输入电流(mA )
V
1.4
1.2
1.0
0.8
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
4
ü W¯¯
1160/62 G01
( LT1160和LT1162 1/2 )
DC +动态电源电流
与输入频率
60
50
40
30
20
V
+
= 10V
10
0
占空比为50%
C
= 3000pF的
直流电源电流
与温度
12
V
INTOP
= LOW
V
INBOTTOM
=高
V
+
= 20V
V
+
= 15V
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
1
10
100
输入频率(千赫)
1000
1160/62 G03
1160/62 G02
欠压锁定(V
+
)
13
12
13
12
11
10
9
8
7
6
5
欠压锁定(V
BOOST
)
V
Tsource和
= 60V
起动阈值
关断阈值
关断阈值
5
4
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
4
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
1160/62 G05
1160/62 G06
顶部或底部的输入引脚电流
与温度
5.0
V
+
= 12V
V
IN
= 4V
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
–25
50
25
0
75
温度(℃)
100
125
0
顶部或底部的输入引脚电流
与输入电压
V
+
= 12V
100
125
4
–50
4
5
6
10
8
7
9
输入电压( V)
11
12
1160/62 G07
1160/62 G08
1160/62 G09
11602fb