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    GAL22LV10 参数 Datasheet PDF下载

    GAL22LV10图片预览
    型号： GAL22LV10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低压E2CMOS PLD通用阵列Logic⑩ [Low Voltage E2CMOS PLD Generic Array Logic⑩]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 18 页 / 218 K
    品牌： LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号GAL22LV10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GAL22LV10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GAL22LV10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GAL22LV10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GAL22LV10的Datasheet PDF文件第10页浏览型号GAL22LV10的Datasheet PDF文件第11页浏览型号GAL22LV10的Datasheet PDF文件第12页浏览型号GAL22LV10的Datasheet PDF文件第13页  
    特定网络阳离子
    GAL22LV10C
    特定网络阳离子
    GAL22LV10
    AC开关特性
    在推荐工作条件
    COM
    PARAM
    TEST
    电导率。
    1
    COM
    COM
    描述
    输入或I / O ，以组合输出
    时钟到输出延迟
    时钟到反馈延迟
    设置时间，或输入Fdbk的Clk时↑前
    保持时间，或者输入Fdbk的Clk时↑后
    最大时钟频率与
    外部反馈1 / （ツ+ TCO ）
    最大时钟频率与
    内部反馈， 1 / （ツ+ TCF）
    最大时钟频率与
    无反馈
    时钟脉冲持续时间，高
    时钟脉冲持续时间，低
    输入或I / O到输出使能
    输入或I / O ，以输出禁用
    输入或I / O ，以Asynch 。重新注册的。
    Asynch 。复位脉冲持续时间
    Asynch 。复位到CLK ↑恢复时间
    同步。预置到CLK ↑恢复时间
    2
    1
    —
    6.5
    0
    87
    -7
    -10
    -15
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    兆赫
    分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
    7.5
    5
    3
    —
    —
    —
    2
    1
    —
    7.5
    0
    71
    10
    6.5
    5
    —
    —
    —
    2
    1
    —
    10
    0
    50
    15
    10
    5
    —
    —
    —
    t
    pd
    2
    t
    co
    2
    t
    cf
    3
    t
    su
    t
    h
    A
    A
    —
    —
    —
    A
    f
    最大
    4
    A
    A
    105
    125
    —
    —
    80
    111
    —
    —
    66
    83
    —
    —
    兆赫
    兆赫
    t
    wh
    t
    wl
    t
    en
    t
    DIS
    t
    ar
    t
    ARW
    t
    ARR
    t
    SPR
    —
    —
    B
    C
    A
    —
    —
    —
    3.5
    3.5
    2
    2
    2
    7
    7
    8
    —
    —
    10
    10
    11
    —
    —
    —
    4
    4
    2
    2
    2
    8
    8
    10
    —
    —
    12
    12
    13
    —
    —
    —
    6
    6
    2
    2
    2
    12
    10
    10
    —
    —
    15
    15
    20
    —
    —
    —
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    1 ）请参见
    开关测试条件
    部分。
    2 ）最小值
    tPD的
    和
    TCO
    未100 ％测试，但性能确定。
    3）从计算
    FMAX
    与内部反馈。请参阅
    fmax的说明
    部分。
    4 ）请参阅
    fmax的说明
    部分。
    电容（T
    A
    = 25
    °
    C，F = 1.0兆赫）
    符号
    C
    I
    C
    I / O
    参数
    输入电容
    I / O容量
    典型
    8
    8
    单位
    pF
    pF
    测试条件
    V
    CC
    = 3.3V, V
    I
    = 0V
    V
    CC
    = 3.3V, V
    I / O
    = 0V
    9

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