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GAL20VP8B-25LP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GAL20VP8B-25LP
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内容描述: 高速E2CMOS PLD通用阵列逻辑 [High-Speed E2CMOS PLD Generic Array Logic]
分类和应用: 可编程逻辑光电二极管输入元件时钟
文件页数/大小: 17 页 / 262 K
品牌: LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
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GAL20VP8
高速é
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
特点
•高驱动器E
2
CMOS
®
GAL
®
设备
- TTL兼容64毫安输出驱动
- 15 ns最大传播延迟
- 最大频率= 80 MHz的
- 10 ns最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
•增强的输入和输出特性
- 施密特触发器输入
- 可编程的漏极开路或图腾柱输出
- 有源上拉式窗口中的所有输入和I / O引脚
• E
2
电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100%测试/ 100 %的收益率
- 高速电擦除( <100ms )
- 20年的数据保存
•八个输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性,复杂的逻辑设计
- 可编程输出极性
- 从架构兼容标准GAL20V8
•下载所有的寄存器和上电复位
- 100 %的功能可测性
•应用程序包括:
- 理想的总线控制&总线仲裁逻辑
- 总线地址译码逻辑
- 内存地址,数据和控制电路
- DMA控制
•用于识别电子签名
I
8
I
OLMC
I / O / Q
功能框图
I / CLK
I
I
IMUX
CLK
8
OLMC
I / O / Q
可编程
与阵
(64 X 40)
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
I
8
OLMC
OE
OLMC
I / O / Q
I / O / Q
I
I
I
IMUX
I / OE
描述
该GAL20VP8 ,64 mA驱动能力和15 ns(最大值)
传播延迟时间是理想的总线和内存控制应用程序
阳离子。
该GAL20VP8使用莱迪思的制造
安森美半导体的高级电子商务
2
CMOS工艺相结合
与CMOS电可擦除(E
2
)浮栅技术。高
速擦写次数( <100ms )允许器件重新编程
快速,高效。
系统总线和存储器接口之前,需要控制逻辑
驱动总线或存储器接口信号。该GAL20VP8
结合了熟悉GAL20V8架构巴士司机
它的输出。通用架构提供了最大的设计flex-
ibility允许输出逻辑宏单元( OLMC )为CON组
由用户想通。该64毫安输出驱动省去了
额外的设备,以提供总线驱动能力。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流,
直流电,并且在制造过程中进行功能测试。其结果,
莱迪思半导体公司提供了100%的现场可编程性和
所有GAL产品的功能。此外, 100擦除/写周期
并且在超过20年的数据保存指定。
引脚配置
PLCC
I / CLK
I / CLK
I / O / Q
NC
DIP
1
24
I
I
I / O / Q
I
I
25
I / O / Q
I / O / Q
I
I
28
4
I
I
VCC
NC
I
I
I
11
12
9
7
5
I
2
I
26
I
I
VCC
I
I
I
I
I
I / OE
12
6
GAL
20VP8
18
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GND
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
13
I
GAL20VP8
顶视图
14
16
23
I / O / Q
NC
21
GND
I / O / Q
19
18
I / O / Q
I / OE
I / O / Q
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更改,恕不另行通知。
I / O / Q
I
I
NC
I
莱迪思半导体股份有限公司, 5555东北摩尔的Ct 。 ,俄勒冈州希尔斯伯勒97124 , USA
电话: ( 503 ) 268-8000 ; 1-800- LATTICE ;传真( 503 ) 268-8556 ; http://www.latticesemi.com
1997年12月
20vp8_03
1