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型号: GAL16VP8
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内容描述: 高速E2CMOS PLD通用阵列逻辑 [High-Speed E2CMOS PLD Generic Array Logic]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 214 K
品牌: LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
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GAL16VP8
高速é
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
特点
•高驱动器E
2
CMOS
®
GAL
®
设备
- TTL兼容64毫安输出驱动
- 15 ns最大传播延迟
- 最大频率= 80 MHz的
- 10 ns最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
•增强的输入和输出特性
- 施密特触发器输入
- 可编程的漏极开路或图腾柱输出
- 有源上拉式窗口中的所有输入和I / O引脚
• E
2
电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100%测试/ 100 %的收益率
- 高速电擦除( <100ms )
- 20年的数据保存
•八个输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性,复杂的逻辑设计
- 可编程输出极性
- 从架构兼容标准GAL16V8
•下载所有的寄存器和上电复位
- 100 %的功能可测性
•应用程序包括:
- 理想的总线控制&总线仲裁逻辑
- 总线地址译码逻辑
- 内存地址,数据和控制电路
- DMA控制
•用于识别电子签名
I
I
8
OLMC
功能框图
I / CLK
I
CLK
8
OLMC
I / O / Q
I / O / Q
I
可编程
与阵
(64 X 32)
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
OE
I / O / Q
I / OE
描述
该GAL16VP8 ,64 mA驱动能力和15 ns(最大值)
传播延迟时间是理想的总线和内存控制应用程序
阳离子。
该GAL16VP8使用莱迪思的制造
安森美半导体的高级电子商务
2
CMOS工艺相结合
与CMOS电可擦除(E
2
)浮栅技术。高
速擦写次数( <100ms )允许器件重新编程
快速,高效。
系统总线和存储器接口之前,需要控制逻辑
驱动总线或存储器接口信号。该GAL16VP8
结合了熟悉GAL16V8架构巴士司机
它的输出。通用架构提供了最大的设计flex-
ibility允许输出逻辑宏单元( OLMC )为CON组
由用户想通。该64毫安输出驱动省去了
额外的设备,以提供总线的驱动能力。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流,
直流电,并且在制造过程中进行功能测试。其结果是,晶格
安森美半导体提供100%的现场可编程性和功能 -
先进而精湛的所有GAL的产品。此外, 100擦除/写周期,
在超过20年的数据保存指定。
引脚配置
DIP
PLCC
I / CLK
I
I
I
2
I
VCC
I
I
I
8
9
I
11
I / OE I / O / Q I / O / Q
6
4
I / CLK
I
20
18
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
1
20
I
I / O / Q
I
I
VCC
I
I
5
GAL
16VP8
15
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GND
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GAL16VP8
顶视图
16
I / O / Q
GND
14
13
I / O / Q
I / O / Q
I
I
I / OE
10
11
I / O / Q
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1997年12月
16vp8_03
1