IC PDF资料下载 IC datasheet大全、在线预览-芯三七

FDP19N40

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，400V，19A，240mΩ，TO-220

局域网开关脉冲晶体管

0 ONSEMI

GRM1552C1E4R3BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

暂无信息

0 INFINEON

FDS89161

双 N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，2.7A，105mΩ

暂无信息

0 ONSEMI

GJM0335C2A7R9WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GCD21BR71H104MA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

GJM0225C1E2R3WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRT1555C1H121GA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

DDB6U50N22W1RP_B11

EasyBRIDGE 1 2200 V, 50 A Diode Bridge Module with 1700 V TRENCHSTOP™ IGBT4 Brake Chopper, PressFIT contact technology and pre-applied Thermal Interface Material. The DDB6U50N22W1RP_B11 extends the current easy drive rectifier diode portfolio up to 2.2 kV.

双极性晶体管

0 INFINEON

BSS138K

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω

开关光电二极管晶体管场效应晶体管

0 ONSEMI

BM1C102F

作为功率因数矫正转换器(Power Factor Correction: PFC)＋准谐振(Quasi-Resonant: QR)DC/DC转换器的多转换器IC，BM1C102F为所有带插座的产品提供优良的系统。本产品内置650V耐压启动电路／X-Cap放电功能，有助于实现低待机功耗。PFC部采用电压控制方式的临界模式（BCM），可通过Zero Current Detection（ZCD）降低开关损耗和噪声。通过电阻进行零电流检测，因此无需ZCD用辅助绕组，可减少偏置部电路的零件数量，降低损耗。DCDC部采用准谐振方式。此方式实现了软开关，有助于实现低EMI。外接开关MOSFET及电流检测电阻，可实现自由度高的电源设计。轻负载时通过启动脉冲串功能提高效率。内置双系统PFC输出过电压保护功能。内置任意负载的PFC ON/OFF功能，可降低待机功耗。内置丰富的保护功能（VCC过电压保护、外部锁存保护、掉电保护、软启动功能、逐周期过电流限制、过负荷保护等）。

开关软启动脉冲功率因数校正插座转换器

0 ROHM