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DN050S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DN050S
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内容描述: 极低的集电极 - 发射极饱和电压 [Extremely low collector-to-emitter saturation voltage]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 267 K
品牌: KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
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DN050S
NPN硅晶体管
特点
极低的集电极 - 发射极
饱和电压
( V
CE ( SAT )
= 0.07V典型值。 @I
C
/I
B
=100mA/10mA)
适用于低电压大电流驱动器
互补配对DP050S
切换应用程序。
引脚连接
3
1
2
SOT-23F
订购信息
型号
DN050S
记号
N02
器件代码
Year&Week码
封装代码
SOT-23F
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
15
12
5
500
200
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 12V,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 1V ,我
C
=500mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=20mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
15
12
5
-
-
200
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
4.5
-
-
-
0.1
0.1
450
-
0.25
1.2
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
-
-
V
V
兆赫
pF
KSD-T5C073-000
1