NPN S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
K I
半导体
█
应用
高电流的应用。
C3203
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………600mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………35V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………30V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………800mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE（1）
H
FE（2）
V
CE （ SAT ）
V
BE
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
35
30
5
100
35
0.5
05
0.8
100
100
120
13
320
V
V
V
I
C
=100μA,
I
C
=10mA,
I
E
=0
I
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=700mA
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
V
V
nA
nA
兆赫
pF
I
C
= 500毫安，我
B
=20mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CB
= 35V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1MHz
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
█
H
FE
分类
O
100—200
Y
160—320
KISEMICONDUCTOR [ Kwang Myoung I.S. CO.,LTD ]
