K I
半导体
█
低频放大器MEDIUM
高速开关
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø
R
C1008
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………800mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………80V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………60V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………8V
I
C
--Collector
Current……………………………………700mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
f
T
COB
100
100
40
0.2
0.86
80
60
8
30
50
8
400
0.4
1.1
nA
nA
V
V
V
V
V
兆赫
pF
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
=100μA,
I
C
=10mA,
I
E
=0
I
B
=0
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
电流增益带宽积
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1MHz
输出电容
█
h
FE
分类
R
40—80
O
70—140
Y
120—240
GR
240—400
KISEMICONDUCTOR [ Kwang Myoung I.S. CO.,LTD ]
