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应用
高电流的应用
L1
3.3--10uH
+ C5
100uF
C2
1uF
VDD
CE
EXT
LX
FB
R2
980k/33K
VOUT
3.3V/5V
VIN
D1
1N5819
应用说明
输出电压设定
参照应用电路中，所述输出电压
开关稳压器（V
OUT
）可以被设置
V
OUT1
= (1 +
R1
R2
) × 1.25V
反馈回路设计
R1
1.6M/100K
Q1
NMOS
+
C1
100uF
谈到应用电路， R 1和R的选择
R2的基于静态电流之间的折衷
消费和抗干扰性的陈述如下：
按照公式A
较高的R降低了静态电流（电流路径
= 1.25V / R2 ） ，不过电阻超过5MΩ不
推荐使用。
较低的r可得出更好的抗噪声能力，并且是少
对干扰敏感，布局寄生效应， FB节点
泄漏和不当探测到FB引脚。
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GND
高电压应用
VIN = 3.1V 6.5V输出电压= 12V
VIN = 2.8V 〜 6.5V输出电压= 9V
VIN = 4.0V 6.5V输出电压= 8V
+
C4
47uF
NMOS = XP161A1355PR FDN337N
C1=47uF
C2=10uF
C3=NC
R1=860K/620K/210K
R2=100K/100K/39K
RM=0.2
CVDD=1uF
12V / 9V / 8V
1000mA
R1
R2
C2
+
C1
L1
器4.7uH 2.5A D1
1N5819
CVDD
Q1
NMOS
EXT
LX
FB
C3
RVDD
47
VDD
CE
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GND
的前馈电容器并联一个适当的值
R1可提高反馈的抗噪能力
环，特别是在一个不正确的布局。实证
建议是在0 〜 33pF的反馈电阻
MΩ ，和10nF 〜 0.1μF的几十反馈电阻
到几百千欧。
对于没有备份应用程序中或暂停模式下，
是优选的R1和R2的值越低。对于应用程序
有关的电流消耗在待机或
暂停模式中， R1和R2的值越大
反馈需要。这样的"high阻抗loops"是
任何干扰，这需要仔细的敏感
布局和避免任何干扰，例如探测到FB引脚。
多路输出的应用
R1=620K
R2=100
C6=0.1uF
D1
VIN
3.3V/5V
R3
100
C1
1uF
L1
3.3--10uH
C2
10uF
Q1
NMOS
C7
1uF
VDD
CE
EXT
LX
FB
R2
C6
R1
C5
10uF
1N5819
Vout2
+ 18V 10毫安
C8
1uF
C3
10uF
Vout1
+ 9V 100毫安
C4
10uF
Vout3
-9V 10毫安
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GND
P4 / 5
KINGBOR [ KINGBOR TECHNOLOGY CO ]
