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型号: 2SA1977
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内容描述: PNP外延硅晶体管 [PNP Epitaxial Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 36 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP外延硅晶体管
2SA1977
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
高F
T
:f
T
= 8.5 GHz的典型。
高增益
| S
21e
| = 12.0分贝TYP 。 @f = 1.0千兆赫,V
CE
= -8 V,I
C
= -20毫安
高速开关characterstics
2
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-20
-12
-3.0
-50
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
集电极电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
fT
CRE *
V
CB
= -10 V
V
EB
= -1 V
V
CE
= -8 V,I
C
= -20毫安
V
CE
= -8 V,I
C
= -20毫安, F = 1 GHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
8.0
20
6.0
8.5
0.5
12.0
1.5
3
1
Testconditons
典型值
最大
-0.1
-0.1
100
V
V
兆赫
pF
单位
ìA
ìA
| S
21e
|
2
V
CE
= -8 V,I
C
= -20毫安, F = 1.0 GHz的
NF
V
CE
= -8 V,I
C
= -3毫安, F = 1 GHz的
* .Mesured由一个三端的桥梁。发射器和外壳应连接到保护终端。
h
FE
分类
记号
的hFE
T92
FB
20 100
0-0.1
www.kexin.com.cn
1