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2SA1971 参数 Datasheet PDF下载

2SA1971图片预览
型号: 2SA1971
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内容描述: PNP硅三重扩散型 [Silicon PNP Triple Diffused Type]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 1 页 / 54 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP硅三重扩散型
2SA1971
晶体管
特点
高电压: V
CE
= -400 V
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*安装在陶瓷基体( 250毫米
2
×0.8 T)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
Tj
T
英镑
等级
-400
-400
-7
-0.5
-1
-0.25
500
1000 *
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -400V ,我
E
=0
V
EB
=-7V,I
C
=0
-400
140
140
-0.4
-0.76
35
18
0.2
2.3
0.2
450
400
-1
-0.9
V
V
兆赫
pF
ìs
ìs
ìs
典型值
最大
-10
-1
单位
ìA
ìA
V
V
( BR ) CEO
I
C
= -10mA ,我
B
=0
h
FE
V
CE
=-5V,I
C
=-20mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
V
CE (SAT)
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
BE (SAT)
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
=-5V,I
C
=-50mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
www.kexin.com.cn
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