欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SA1532 参数 Datasheet PDF下载

2SA1532图片预览
型号: 2SA1532
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP Epitaxial Planar Type]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 46 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP硅外延平面型
2SA1532
晶体管
特点
高转换频率f
T
.
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-30
-20
-5
-30
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
基射极饱和电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
噪声电压
反向传输阻抗
共发射极反向传输电容
符号
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CE
= -10 IA ,我
C
= -1毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0
V
CE
= -20 V,I
B
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
CB
= -10 V,I
E
= 1毫安
50
-0.1
150
300
2.8
22
1.2
4.0
60
2.0
典型值
-0.7
-0.1
-100
-10
220
V
兆赫
dB
Ù
pF
最大
单位
V
ìA
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
f
T
NF
Z
rb
C
re
V
CB
= -10 V,I
E
= 1毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 1毫安, F = 5兆赫
V
CB
= -10 V,I
E
= 1毫安, F = 2 MHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 1毫安, F = 10.7兆赫
h
FE
分类
记号
h
FE
A
50 100
E
B
70 140
C
110 220
www.kexin.com.cn
1