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2SA1463图片预览
型号: 2SA1463
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内容描述: PNP硅Epitaxia [PNP Silicon Epitaxia]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 1 页 / 52 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP硅Epitaxia
2SA1463
晶体管
IC
特点
高速,高电压开关。
低集电极饱和电压
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
Collecto到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲) *
总功耗
结温
储存温度
* .pw 10毫秒,占空比50 %
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-60
-45
-5.0
-1.0
-2.0
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
打开-O FF时间
*脉冲测试: TP
350 ; ð
0.02.
符号
I
CES
I
EBO
h
FE
1
h
FE
2
Testconditons
V
CE
= -45V ,R
BE
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
= -50mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -500mA
60
60
-0.26
-0.98
300
400
11
25
I
C
= -500mA ,我
B1
= I
B1
= -50mA
46
62
25
40
70
100
-0.6
-1.2
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
典型值
最大
-0.5
-0.5
200
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
关闭
V
CE
= -10V ,我
E
= 100毫安
V
CB
= -10V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
1L
60 120
1K
100
200
www.kexin.com.cn
1