欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SA1312 参数 Datasheet PDF下载

2SA1312图片预览
型号: 2SA1312
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅外延型 [Silicon PNP Epitaxial Type]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 36 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP硅外延型
2SA1312
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高的hFE 。
低噪声。
小包装。
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
高电压。
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-120
-120
-5
-100
-20
150
125
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
增益带宽积
输出电容
噪声系数
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -120V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
V
CE
= -6V ,我
C
= -2mA
200
典型值
最大
-0.1
-0.1
700
-0.3
100
4
0.5
0.2
6
3
V
兆赫
pF
dB
dB
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
f
T
C
ob
NF
NF
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
V
CE
= -6 V,I
C
= -0.1毫安, F = 100赫兹,R
g
=10 KÙ
V
CE
= -6 V,I
C
= -0.1毫安, F = 1千赫,R
g
=10 KÙ
h
FE
分类
记号
的hFE
ABG
GR
200 400
ABL
BL
350 700
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1