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21201 Itasca的街查茨沃斯
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特点
•
•
•
•
siliconrectifier金属, majonty载体conducton
保护环的瞬态保护
低功耗高效率
高浪涌能力,高电流能力
MBR1030CT
THRU
MBR1060CT
10 AMP
肖特基势垒
整流器器
30-60伏
TO-220AB
•
•
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 175℃
Microsemi的
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
30V
35V
40V
45V
50V
60V
B
C
K
针
1
2
3
L
M
D
A
E
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
MBR1030CT
MBR1035CT
MBR1040CT
MBR1045CT
MBR1050CT
MBR1060CT
21V
24.5V
28V
31.5V
35V
42V
F
G
I
J
N
H H
销1
销2
例
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大正向
压降每
元素
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
MBR1030CT-45CT
MBR1050CT-60CT
I
F( AV )
I
FSM
10A
125A
T
C
= 105°C
8.3ms的,半正弦
3脚
MM
14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03
15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
V
F
.70V
.80V
.57V
.65V
0.1mA
15mA
I
FM
= 5A
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
IR
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
英寸
.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
C
J
170pF
220pF
在测
1.0MHz的,V
R
=4.0V
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