IRFR9020 ， IRFU9020 ， SiHFR9020 ， SiHFU9020
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
14
6.5
6.5
单身
S
特点
- 50
0.28
•
•
•
•
•
•
•
表面贴装（订单号IRFR9020 / SiHFR9020 ）
直铅期权（订单号IRFU9020 / SiHFU9020 ）
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
D
P沟道MOSFET
功率MOSFET技术的关键是Vishay的
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何和的这一最新“国家独特的加工
艺术“的设计实现了：极低的通态电阻组合
高跨导;卓越的反向能量，
二极管恢复的dV / dt 。
功率MOSFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的如电压建立优势
控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。
表面贴装封装通过提高电路性能
减少杂散电感和电容。该TO- 252
表面贴装型封装带来动力的优点
MOSFET的高容量应用中， PC板
表面安装是理想的。表面贴装选项
设置在16毫米胶带IRFR9020 / SiHFR9020 。该
直引线选项IRFR9020 /设备SiHFR9020是
叫IPAK （TO- 251 ） 。
它们非常适合的应用场合有限热
散热需要，例如，计算机及外设，
电信设备，直流/直流转换器，和一个
广泛的消费产品。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9020PbF
SiHFR9020-E3
IRFR9020
SiHFR9020
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9020TRPbF
a
SiHFR9020T-E3
a
IRFR9020TR
a
SiHFR9020T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9020TRLPbF
a
SiHFR9020TL-E3
a
IRFR9020TRL
a
SiHFR9020TL
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9020PbF
SiHFU9020-E3
IRFU9020
SiHFU9020
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
www.kersemi.com
1
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
极限
- 50
± 20
- 9.9
- 6.3
- 40
0.33
440
- 9.9
4.2
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
