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    IRFU2905Z 参数 Datasheet PDF下载

    IRFU2905Z图片预览
    型号： IRFU2905Z
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 先进的工艺技术 [Advanced Process Technology]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 11 页 / 4204 K
    品牌： KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
     浏览型号IRFU2905Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFU2905Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFU2905Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFU2905Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFU2905Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFU2905Z的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFU2905Z的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFU2905Z的Datasheet PDF文件第9页  
    PD - 95811
    IRFR2905Z
    IRFU2905Z
    HEXFET
    ®
    功率MOSFET
    特点
    ●
    ●
    ●
    ●
    ●
    先进的工艺技术
    超低导通电阻
    175 ° C工作温度
    快速开关
    重复性雪崩中允许多达TJMAX
    D
    V
    DSS
    = 55V
    G
    S
    R
    DS （ ON）
    = 14.5mΩ
    I
    D
    = 42A
    描述
    专为汽车应用，这HEXFET
    ®
    功率MOSFET采用了最新的处理技术，
    实现极低的导通电阻每硅片面积。另外
    这种设计的特点是一个175 ° C的结温工作
    TURE ，开关速度快，提高了重复性雪崩
    投资评级。这些功能结合起来，使这个设计非常
    高效，可靠的装置，用于在汽车应用中使用，并
    各种各样的其它应用。
    D- PAK
    IRFR2905Z
    马克斯。
    59
    42
    42
    240
    110
    0.72
    ± 20
    I- PAK
    IRFU2905Z
    单位
    A
    绝对最大额定值
    参数
    I
    D
    @ T
    C
    = 25°C连续漏电流， V
    GS
    @ 10V
    （硅有限公司）
    I
    D
    @ T
    C
    = 100℃连续漏电流， V
    GS
    @ 10V
    I
    D
    @ T
    C
    = 25°C连续漏电流， V
    GS
    @ 10V
    （包装有限公司）
    漏电流脉冲
    I
    DM
    P
    D
    @T
    C
    = 25 °C功耗
    ™
    W
    W / ℃，
    V
    mJ
    A
    mJ
    V
    GS
    E
    AS （限热）
    E
    AS
    （测试）
    I
    AR
    E
    AR
    T
    J
    T
    英镑
    线性降额因子
    栅极 - 源极电压
    单脉冲雪崩能量
    雪崩电流
    d
    单脉冲雪崩能量测试值
    Ù
    h
    55
    82
    看到图12a ， 12b中，15，16
    -55〜 + 175
    重复性雪崩能量
    工作结
    存储温度范围
    g
    °C
    300 （ 1.6毫米从案例）
    10磅的（ 1.1N M）
    焊接温度，持续10秒
    安装扭矩， 6-32或M3螺丝
    热阻
    R
    θJC
    R
    θJA
    R
    θJA
    结到外壳
    y
    y
    j
    参数
    典型值。
    马克斯。
    1.38
    40
    110
    单位
    ° C / W
    结到环境（印刷电路板安装）
    结到环境
    j
    ij
    –––
    –––
    –––
    www.kersemi.com
    1
    11/24/03

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