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    IRFR3910 参数 Datasheet PDF下载

    IRFR3910图片预览
    型号： IRFR3910
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低导通电阻 [Ultra Low On-Resistance]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 3738 K
    品牌： KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
     浏览型号IRFR3910的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFR3910的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR3910的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR3910的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR3910的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR3910的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFR3910的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFR3910的Datasheet PDF文件第9页  
    IRFR/U3910
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。
    100
    –––
    –––
    2.0
    6.4
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    0.12
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    6.4
    27
    37
    25
    4.5
    7.5
    640
    160
    88
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 1毫安
    0.115
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 10A
    „
    4.0
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = 50V ，我
    D
    = 9.0A†
    25
    V
    DS
    = 100V, V
    GS
    = 0V
    µA
    250
    V
    DS
    = 80V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 150°C
    100
    V
    GS
    = 20V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -20V
    44
    I
    D
    = 9.0A
    6.2
    nC
    V
    DS
    = 80V
    21
    V
    GS
    = 10V ，参照图6和13
    „†
    –––
    V
    DD
    = 50V
    –––
    I
    D
    = 9.0A
    ns
    –––
    R
    G
    = 12Ω
    –––
    R
    D
    = 5.5Ω ，见图。 10
    „†
    铅之间，
    –––
    nH
    6毫米（0.25英寸）。
    G
    从包
    –––
    与模具接触中心？
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    pF
    V
    DS
    = 25V
    –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。 5 ？
    D
    S
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    †
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向RecoveryCharge
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    条件
    D
    MOSFET符号
    16
    ––– –––
    展示
    A
    G
    整体反转
    ––– –––
    60
    p-n结二极管。
    S
    ––– ––– 1.3
    V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 9.0A ，V
    GS
    = 0V
    „
    ––– 130 190
    ns
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 9.0A
    ––– 650 970
    NC的di / dt = 100A / μs的
    „†
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    S
    +L
    D
    )
    注意事项：
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    最大。结温。 （参见图11）
    ‚
    V
    DD
    = 25V ，起始物为
    J
    = 25℃时，L = 3.1mH
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = 9.0A 。 （参见图12）
    T
    J
    ≤
    175°C
    „
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%
    …
    这是适用于I- PAK ， D- PAK的LS是铅的测定
    模具联络中心
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    9.0A ， di / dt的
    ≤
    520A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    †
    使用IRF530N数据和测试条件
    2
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