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    IRFR3711ZCPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRFR3711ZCPBF图片预览
    型号： IRFR3711ZCPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 4281 K
    品牌： KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
     浏览型号IRFR3711ZCPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFR3711ZCPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR3711ZCPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR3711ZCPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR3711ZCPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR3711ZCPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFR3711ZCPBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFR3711ZCPBF的Datasheet PDF文件第9页  
    IRFR/U3711ZCPbF
    静态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    BV
    DSS
    ∆ΒV
    DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    ∆V
    GS （ TH）
    /∆T
    J
    I
    DSS
    I
    GSS
    政府飞行服务队
    Q
    g
    Q
    gs1
    Q
    gs2
    Q
    gd
    Q
    godr
    Q
    sw
    Q
    OSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压系数
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    正向跨导
    总栅极电荷
    预Vth的栅极 - 源极充电
    后Vth的栅极至源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    栅极电荷过载
    切换电荷（Q
    gs2
    + Q
    gd
    )
    输出充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。典型值。马克斯。单位
    20
    –––
    –––
    –––
    1.55
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    48
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    13
    4.5
    6.2
    2.0
    -5.4
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    18
    5.1
    1.8
    6.5
    4.6
    8.3
    9.8
    12
    13
    15
    5.2
    2160
    700
    360
    –––
    –––
    5.7
    7.8
    2.45
    –––
    1.0
    150
    100
    -100
    –––
    27
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    pF
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V
    ns
    nC
    nC
    V
    DS
    = 10V
    V
    GS
    = 4.5V
    I
    D
    = 12A
    S
    nA
    V
    毫伏/°C的
    µA
    V
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    毫欧V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 15A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    e
    = 12A
    e
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = 20V
    V
    GS
    = -20V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 12A
    参照图16
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V
    V
    DD
    = 15V, V
    GS
    = 4.5V
    I
    D
    = 12A
    钳位感性负载
    e
    ƒ = 1.0MHz的
    雪崩特性
    E
    AS
    I
    AR
    E
    AR
    参数
    单脉冲雪崩能量
    雪崩电流
    Ù
    d
    典型值。
    –––
    –––
    –––
    马克斯。
    140
    12
    7.9
    单位
    mJ
    A
    mJ
    重复性雪崩能量
    ™
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    19
    9.4
    二极管的特性
    参数
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    分钟。典型值。马克斯。单位
    93
    f
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 12A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 12A ，V
    DD
    = 10V
    的di / dt = 100A / μs的
    A
    370
    1.0
    28
    14
    V
    ns
    nC
    Ù
    e
    e
    固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
    2
    www.kersemi.com

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