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IRFR3505TRL 参数 Datasheet PDF下载

IRFR3505TRL图片预览
型号: IRFR3505TRL
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内容描述: 汽车MOSFET [AUTOMOTIVE MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 4574 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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PD - 94506A
汽车MOSFET
HEXFET
®
功率MOSFET
特点
IRFR3505
IRFU3505
V
DSS
= 55V
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
D
G
S
R
DS ( ON)
= 0.013Ω
I
D
= 30A
描述
专为汽车应用,这HEXFET
®
动力
MOSFET采用最新的加工技术,以实现极
低导通电阻每硅片面积。这款产品的附加功能
一个175 ℃的结的工作温度,快速开关速度和im-
事实证明重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该
设计一个非常有效和可靠的设备在汽车使用
应用程序和各种各样的其它应用。
对D-朴是专为表面用汽相装配,红外,
或波峰焊技术。直引线型( IRFU系列)
通孔安装的应用程序。功耗水平最高
1.5瓦特是可能的典型的表面贴装应用。
D- PAK
IRFR3505
I- PAK
IRFU3505
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, V
GS
@ 10V (见图9 )
连续漏电流, V
GS
@ 10V (包装有限公司)
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
单脉冲雪崩能量测试的价值?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
71
49
30
280
140
0.92
± 20
210
410
看到图12a , 12b中,15,16
4.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) ?
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.09
40
110
单位
° C / W
www.kersemi.com
1
12/11/02