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    IRFR3504ZTRR 参数 Datasheet PDF下载

    IRFR3504ZTRR图片预览
    型号： IRFR3504ZTRR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车级 [AUTOMOTIVE GRADE]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 11 页 / 4984 K
    品牌： KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
     浏览型号IRFR3504ZTRR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFR3504ZTRR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR3504ZTRR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR3504ZTRR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR3504ZTRR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR3504ZTRR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFR3504ZTRR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFR3504ZTRR的Datasheet PDF文件第9页  
    AUIRFR3504Z
    静态电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    政府飞行服务队
    I
    DSS
    I
    GSS
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    分钟。典型值。马克斯。单位
    40
    –––
    –––
    2.0
    32
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    0.032
    8.23
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    9.0
    4.0
    –––
    20
    250
    200
    -200
    条件
    V V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    V / ℃参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    毫欧V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 42A
    V V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    s V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 42A
    μA V
    DS
    = 40V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 40V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    nA的V
    GS
    = 20V
    V
    GS
    = -20V
    e
    动态电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    EFF 。
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    输出电容
    输出电容
    有效输出电容
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    30
    9.6
    12
    15
    74
    30
    38
    4.5
    7.5
    1510
    340
    190
    1100
    340
    460
    45
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    nC
    条件
    I
    D
    = 42A
    V
    DS
    = 32V
    V
    GS
    = 10V
    V
    DD
    = 20V
    I
    D
    = 42A
    R
    G
    = 15
    Ω
    V
    GS
    = 10V
    铅之间，
    e
    e
    ns
    D
    nH
    6毫米（0.25英寸）。
    从包
    G
    pF
    S
    而中心的模具接触
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 25V
    ƒ = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 1.0V ， ƒ = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 32V ， ƒ = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0V至32V
    二极管的特性
    参数
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    向前开启时间
    f
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    18
    9.2
    42
    A
    310
    1.3
    27
    14
    V
    ns
    nC
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 42A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 42A ，V
    DD
    = 20V
    的di / dt = 100A / μs的
    Ù
    e
    e
    固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
    2
    www.kersemi.com

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