IRFR310 , IRFU310 , SiHFR310 , SiHFU310
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
12
1.9
6.5
单身
D
特点
400
3.6
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•表面贴装( IRFR310 / SiHFR310 )
•直铅( IRFU310 / SiHFU310 )
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•全额定雪崩
•铅(Pb) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
第三代功率MOSFET组成的Vishay提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU / SiHFU系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅(Pb ) - 免费
SNPB
DPAK ( TO- 252 )
IRFR310PbF
SiHFR310-E3
IRFR310
SiHFR310
DPAK ( TO- 252 )
IRFR310TRLPbF
a
SiHFR310TL-E3
a
IRFR310TRL
a
SiHFR310TL
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFR310TRPbF
a
SiHFR310T-E3
a
IRFR310TR
a
SiHFR310T
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFR310TRRPbF
a
SiHFR310TR-E3
a
-
-
IPAK ( TO- 251 )
IRFU310PbF
SiHFU310-E3
IRFU310
SiHFU310
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散( PCB安装)
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
400
± 20
1.7
1.1
6.0
0.20
0.020
86
1.7
2.5
25
2.5
4.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
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