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IRFR2407TRL 参数 Datasheet PDF下载

IRFR2407TRL图片预览
型号: IRFR2407TRL
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 3716 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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IRFR2407
IRFU2407
表面贴装( IRFR2407 )
l
直铅( IRFU2407 )
l
先进的工艺技术
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 75V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.026Ω
I
D
= 42A†
第七代HEXFET
®
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术,以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处,结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知的,提供了
设计师用一种极其有效和可靠的
装置,用于在各种各样的应用中使用。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相,红外,或波焊工艺。
直引线型( IRFU系列)是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
D- PAK
IRFR2407
I- PAK
IRFU2407
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
42†
29†
170
110
0.71
± 20
130
25
11
5.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.4
50
110
单位
° C / W
www.kersemi.com
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