IRFR210 , IRFU210 , SiHFR210 , SiHFU210
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
8.2
1.8
4.5
单身
D
特点
200
1.5
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•表面贴装( IRFR210 / SiHFR210 )
•直铅( IRFU210 / SiHFU210 )
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•铅(Pb) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU / SiHFU系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅(Pb ) - 免费
SNPB
DPAK ( TO- 252 )
IRFR210PbF
SiHFR210-E3
IRFR210
SiHFR210
DPAK ( TO- 252 )
IRFR210TRLPbF
a
SiHFR210TL-E3
a
IRFR210TRL
a
SiHFR210TL
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFR210TRPbF
a
SiHFR210T-E3
a
IRFR210TR
a
SiHFR210T
a
DPAK ( TO- 252 )
-
-
IRFR210TRR
a
SiHFR210TR
a
IPAK ( TO- 251 )
IRFU210PbF
SiHFU210-E3
IRFU210
SiHFU210
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
200
± 20
2.6
1.7
10
0.20
0.020
130
2.7
2.5
25
2.5
5.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
漏电流脉冲
a
I
DM
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
雪崩电流
I
AR
a
E
AR
重复性雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散( PCB安装)
峰值二极管恢复的dv / dt
c
dv / dt的
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议(峰值温度)
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 28 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 2.6 A(见图12 ) 。
C.我
SD
≤
2.6 A, di / dt的
≤
70 A / μs的,V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
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