AUIRFR1010Z
●
●
●
●
●
●
●
先进的工艺技术
低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
55V
5.8m
Ω
7.5m
Ω
91A
42A
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
®
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结操作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎，使这个设计非常高效，
在汽车应用中使用可靠的设备
和各种其他应用程序。
D
S
G
D- PAK
AUIRFR1010Z
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， VGS @ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
91
65
42
360
140
0.9
± 20
110
220
看到图12a ， 12b中，15，16
-55〜 + 175
单位
A
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
Ã
h
d
g
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
300
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.11
40
110
单位
° C / W
i
www.kersemi.com
1
06/16/11
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
