IRFR014 , IRFU014 , SiHFR014 , SiHFU014
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
11
3.1
5.8
单身
D
特点
60
0.20
•动态的dv / dt额定值
•表面贴装( IRFR014 / SiHFR014 )
•直铅( IRFU014 / SiHFU014 )
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•简单的驱动要求
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
•铅(Pb) ,免费提供
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU / SiHFU系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅(Pb ) - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK ( TO- 252 )
IRFR014PbF
SiHFR014-E3
IRFR014
SiHFR014
DPAK ( TO- 252 )
IRFR014TRLPbF
a
SiHFR014TL-E3
a
IRFR014TRL
a
SiHFR014TL
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFR014TRPbF
a
SiHFR014T-E3
a
IRFR014TR
a
SiHFR014T
a
IPAK ( TO- 251 )
IRFU014PbF
SiHFU014-E3
IRFU014
SiHFU014
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
最大功率耗散( PCB安装)
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 20
7.7
4.9
31
0.20
0.020
47
25
2.5
4.5
W / ℃,
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
www.kersemi.com
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