IRFR010 ， SiHFR010
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
10
2.6
4.8
单身
D
特点
50
0.20
•
•
•
•
•
•
低驱动电流
表面贴装
快速开关
易于并联的
出色的温度稳定性
符合RoHS指令2002/95 / EC
描述
功率MOSFET技术的关键是Vishay的
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何和的这一最新“国家独特的加工
艺术“设计实现：非常低的导通电阻
结合高跨导;优越的反
能源和二极管恢复dv / dt能力。
功率MOSFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的如电压建立优势
控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。
表面贴装封装通过提高电路性能
减少杂散电感和电容。该DPAK
（ TO- 252 ）表面贴装封装带来的好处
功率MOSFET的高容量应用，其中PC
板表面安装是理想的。的表面装贴
选项IRFR9012 ， SiHFR9012提供16毫米磁带。
直导线选项IRFU9012 ，装置的SiHFU9012
被称为IPAK （TO- 251 ） 。
它们非常适合的应用场合有限热
散热需要，例如，计算机及外设，
电信设备，直流 - 直流转换器，和一个
广泛的消费产品。
DPAK
(TO-252)
D
G
G
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR010PbF
SiHFR010-E3
IRFR010
SiHFR010
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
50
± 20
8.2
5.2
33
1.5
0.20
25
2.0
- 55至+ 150
300
d
单位
V
漏电流脉冲
a
I
DM
b
雪崩电流
I
AS
线性降额因子
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
c
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 100微亨，R
g
= 25
.
C.我
SD
8.2 A， di / dt的
130 A / μs的，V
DD
40 V ，T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
A
W / ℃，
W
V / ns的
°C
www.kersemi ， COM
1
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
