IRFR/U3504PBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFR/U3504PBF
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内容描述：	汽车MOSFET [AUTOMOTIVE MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 4235 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

PD - 95315A

汽车MOSFET

特点

IRFR3504PbF

IRFU3504PbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

LEAD -FREE

DSS

= 40V

DS （ ON）

= 9.2mΩ

描述

专为汽车应用，这HEXFET®

功率MOSFET采用了最新的处理技术，

实现极低的导通电阻每硅片面积。额外

这款产品的tional特点是一个175 ° C的结工作

温度，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使这一设计

一个非常有效和可靠的设备在汽车使用

应用程序和各种各样的其它应用。

在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装

相，红外，或波焊工艺。直

铅版（ IRFU系列）是通孔安装

应用程序。功耗水平达到1.5瓦特是

有可能在典型的表面贴装应用。

= 30A

D- PAK

IRFR3504

I- PAK

IRFU3504

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

= 100°C

= 25°C

连续漏电流， V

@ 10V （硅有限公司）

连续漏电流， V

@ 10V （见图9 ）

连续漏电流， V

@ 10V （包装有限公司）

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

单脉冲雪崩能量测试的价值？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

350

140

0.92

± 20

240

480

看到图12a ， 12b中，15，16

-55〜 + 175

单位

（测试）

英镑

W / ℃，

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）？

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.09

110

单位

° C / W

www.kersemi.com

12/13/04

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