IRFIZ24GPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFIZ24GPBF
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	7 页 / 4820 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRFIZ24G ， SiHFIZ24G

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

5.8

单身

特点

0.10

•隔离包

•高隔离电压为2.5千伏

RMS

（T = 60秒;

F = 60赫兹）

•灌铅爬电距离= 4.8毫米

• 175 ° C的工作温度

•动态的dv / dt额定值

•低热阻

•铅（Pb），免费提供

可用的

RoHS指令*

柔顺

的TO-220 FULLPAK

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

该TO- 220 FULLPAK无需额外

绝缘硬件在商业工业应用。

所使用的模制化合物提供了一种高隔离

能力和标签之间的低热阻和

外部散热器。这种隔离是相当于使用100

微米云母障碍与标准TO - 220产品。该

FULLPAK被安装到使用单个片段或由带散热片

单个螺钉固定。

摹ð S

N沟道

MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

的TO-220 FULLPAK

IRFIZ24GPbF

SiHFIZ24G-E3

IRFIZ24G

SiHFIZ24G

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

脉冲漏

当前

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

= 25 °C

dv / dt的

, T

英镑

10秒

6-32或M3螺丝

极限

± 20

0.24

100

4.5

- 55〜 + 175

300

1.1

W / ℃，

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

单位

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

峰值二极管恢复

dv / dt的

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。 V

= 25 V ，起始物为

= 25 ° C，L = 595 μH ，R

= 25

Ω,

= 14 A（见图12 ）。

C.我

≤

17 A， di / dt的

≤

140 A / μs的，V

≤

, T

≤

175 °C.

ð 。 1.6毫米的情况。

www.kersemi.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案