IRFI640GPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFI640GPBF
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 4318 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRFI640G ， SiHFI640G

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

单身

特点

200

0.18

•隔离包

•高隔离电压为2.5千伏

RMS

（T = 60秒;

F = 60赫兹）

•灌铅爬电距离= 4.8毫米

•动态的dv / dt额定值

•低热阻

•铅（Pb），免费提供

可用的

RoHS指令*

柔顺

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

该TO- 220 FULLPAK无需额外

绝缘硬件在商业工业应用。

所使用的模制化合物提供了一种高隔离

能力和标签之间的低热阻和

外部散热器。隔离相当于使用100

微米云母障碍与标准TO - 220产品。该

FULLPAK被安装到使用单个片段或由带散热片

单个螺钉固定。

的TO-220 FULLPAK

摹ð S

N沟道

MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

的TO-220 FULLPAK

IRFI640GPbF

SiHFI640G-E3

IRFI640G

SiHFI640G

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

脉冲漏

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩电流

重复性雪崩能量

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

笔记

重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

= 50 V ，起始物为

= 25 ° C，L = 6.7 mH的，R

= 25

Ω,

= 9.8 A（见图12 ）。

≤

18 A， di / dt的

≤

150 A / μs的，V

≤

, T

≤

150 °C.

1.6毫米的情况。

当前

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

dv / dt的

, T

英镑

极限

200

± 20

9.8

6.2

0.32

430

9.8

4.0

5.0

- 55至+ 150

300

1.1

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

= 25 °C

10秒

6-32或M3螺丝

www.kersemi.com

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