IRFB17N60KPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFB17N60KPBF
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	7 页 / 3561 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRFB17N60K ， SiHFB17N60K

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

单身

特点

600

0.35

•较小的TO- 220封装

•低栅极电荷Q

结果简单驱动

需求

•改进的门，雪崩和动态dv / dt的

耐用性

可用的

RoHS指令*

柔顺

•充分界定电容和雪崩电压

和电流

•铅（Pb），免费提供

TO-220

应用

•开关模式电源（SMPS ）

N沟道

MOSFET

·不间断电源

•高速电源开关

•硬开关和高频电路

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

TO-220

IRFB17N60KPbF

SiHFB17N60K-E3

IRFB17N60K

SiHFB17N60K

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩电流

重复性雪崩能量

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

10秒

6-32或M3螺丝

= 25 °C

dv / dt的

, T

英镑

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

600

± 30

2.7

330

340

- 55至+ 150

300

W / ℃，

V / ns的

°C

单位

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。起始物为

= 25 ° C，L = 2.3 mH的，R

= 25

Ω,

= 17 A（见图12 ）。

C.我

≤

17 A， di / dt的

≤

380 A / μs的，V

≤

, T

≤

150 °C.

ð 。 1.6毫米的情况。

www.kersemi.com

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