IRF9530N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF9530N
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内容描述：	先进的工艺技术 [Advanced Process Technology]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	7 页 / 2776 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRF9530N

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

P沟道

全额定雪崩

DSS

= -100V

DS （ ON）

= 0.20Ω

= -14A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET

是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用

应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

的TO- 220贡献电阻和低封装成本

在整个行业中的广泛接受。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

-14

-10

-56

0.53

± 20

250

-8.4

7.9

-5.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅•在（ 1.1N •m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.9

–––

单位

° C / W

1/8

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