FQU2N60C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FQU2N60C
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内容描述：	N沟道MOSFET QFET [N-Channel QFET MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	8 页 / 842 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

FQD2N60C / FQU2N60C N沟道

QFET

MOSFET

FQD2N60C / FQU2N60C

N沟道

QFET

MOSFET

600 V ， 1.9 A， 4.7 Ω

特点

• 1.9 A， 600 V ，R

DS （ ON）

= 4.7

Ω

（ MAX 。）

@ V

= 10 V,

= 0.95 A

= LOW

栅极电荷

（典型值8.5 NC ）

•低的Crss （典型值4.3 pF的）

• 100%

雪崩测试

•

符合RoHS

描述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用Corise Semiconductorÿs专有的，

平面条形， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于高效率开关模式电源。

●

◀

▲

●

D- PAK

I- PAK

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

dv / dt的

漏源电压

漏电流

- 连续（T

= 25°C)

- 连续（T

= 100°C)

- 脉冲

（注1 ）

参数

FQD2N60C / FQU2N60C

600

1.9

1.14

7.6

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25°C)*

功率耗散（T

= 25°C)

- 减免上述25℃

120

1.9

4.4

4.5

2.5

0.35

-55到+150

300

, T

英镑

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

热特性

符号

θJC

θJA

参数

热阻，结到外壳，

马克斯。

热阻，结到环境*

热阻，结到环境，

马克斯。

FQD2N60C / FQU2N60C

2.87

110

单位

° C / W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

www.kersemi.com

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