FQPF5N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FQPF5N60
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内容描述：	600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	7 页 / 803 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

FQPF5N60

600V N沟道MOSFET

特点

这些N沟道增强型功率场效应

• 2.8A ， 600V ，R

DS （ ON）

= 2.0Ω @V

= 10 V

晶体管都采用Corise Semiconductorÿs专有的，

•低栅极电荷（典型的16 NC）

平面条形， DMOS技术。

•低的Crss （典型值9.0 pF的）

•快速开关

这种先进的技术已特别针对

• 100 ％雪崩测试

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

•改进dv / dt能力

性能，并能承受高能量脉冲

• TO- 220F封装隔离= 4.0KV

（注6 ）

雪崩和减刑模式。这些装置是公

概述

适用于高效率开关模式电源。

＆ QUOT ;

GD S

！ "

＆ QUOT ;

TO-220F

FQPF系列

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQPF5N60

600

2.8

1.77

11.2

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25°C)

300

2.8

4.0

4.5

0.32

-55到+150

300

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

热特性

符号

θJC

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

典型值

最大

3.13

62.5

单位

° C / W

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